[发明专利]一种具有超结结构的肖特基半导体装置及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有绝缘层隔离结构肖特基半导体装置，特别是一种具有超结结构的肖特基半导体装置及其制备方法，通过沟槽内下部的第二导电半导体材料与沟槽之间的第一导电半导体材料可以形成电荷补偿，形成超结结构；当半导体装置接一定的反向偏压时，沟槽内上部设置的金属或高浓度杂质掺杂的第二导电半导体材料与沟槽侧壁的绝缘介质构成MOS结构，可以抑制肖特基势垒随反向偏压升高势垒高度降低的现象；另外沟槽内上部设置的金属与沟槽内下部的第二导电半导体材料可以形成P半导体材料的肖特基势垒结，在半导体装置接正向偏压，此肖特基势垒结处于反偏状态，可以有效抑制PN结的正向导通，从而减少漂移区少子的注入，提高器件的开关特性。

主权项

一种具有超结结构的肖特基半导体装置，其特征在于：包括：多个沟槽位于第一导电半导体材料表面；沟槽侧壁上部的表面设置有绝缘介质，沟槽底部没有绝缘介质；沟槽内下部设置有第二导电半导体材料，沟槽内上部设置有金属或高浓度杂质掺杂的第二导电半导体材料；沟槽之间第一导电半导体材料上部为肖特基势垒结。