[发明专利]磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质有效

专利信息
申请号: 201180051301.1 申请日: 2011-10-24
公开(公告)号: CN103221568A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 长谷川浩之 申请(专利权)人: 山阳特殊制钢株式会社
主分类号: C22C45/04 分类号: C22C45/04;C22C45/02;C23C14/34;G11B5/738;G11B5/851;H01F10/13;H01F41/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 翟赟琪
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供饱和磁通密度、非晶性、结晶化温度及耐腐蚀性优异的热辅助磁记录介质用软磁性合金、其溅射靶材及磁记录介质。该合金以at%计,包含Fe:0~70%、(A)5~20%的选自Ti、Zr、及Hf中的1种或2种以上的元素、(B)0~30%的选自Cr、Mo、及W中的1种或2种以上的元素、(C)0~30%的选自V、Nb、及Ta中的1种或2种以上的元素、(D)0~30%的选自Ni及Mn中的1种或2种元素、(E)0~5%的选自Al及Cu中的1种或2种元素、以及(F)0~10%的选自Si、Ge、P、B、及C中的1种或2种以上的元素,余部含有Co及不可避免的杂质。
搜索关键词: 记录 磁性 合金 溅射 介质
【主权项】:
一种磁记录用软磁性合金,其特征在于,以at%计,包含:Fe:0~70%、(A)5~20%的选自Ti、Zr、及Hf中的1种或2种以上的元素、(B)0~30%的选自Cr、Mo、及W中的1种或2种以上的元素、(C)0~30%的选自V、Nb、及Ta中的1种或2种以上的元素、(D)0~30%的选自Ni及Mn中的1种或2种元素、(E)0~5%的选自Al及Cu中的1种或2种元素、以及(F)0~10%的选自Si、Ge、P、B、及C中的1种或2种以上的元素,余部含有Co及不可避免的杂质。
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