[实用新型]直流电源降压型转换器的半导体封装结构

摘要

一种直流电源降压型转换器的半导体封装结构，包含有一封装引线框架、一控制回路元件、一第一金属氧化物半导体场效应晶体管及一第二金属氧化物半导体场效应晶体管。该控制回路元件与该第一金属氧化物半导体场效应晶体管相邻的设置于该封装引线框架上，并彼此之间电性连接，而该第二金属氧化物半导体场效应晶体管堆叠于该第一金属氧化物半导体场效应晶体管远离该封装引线框架的一侧，并与该控制回路元件电性连接。据此，本实用新型通过该第二金属氧化物半导体场效应晶体管堆叠于该第一金属氧化物半导体场效应晶体管上方，有效缩减该封装引线框架的使用面积，不仅降低该直流电源降压型转换器的生产成本，还使该直流电源降压型转换器可应用于更小的模块板上。

主权项

一种直流电源降压型转换器的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包含有：一封装引线框架；一控制回路元件，所述控制回路元件设置于所述封装引线框架上；一第一金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管设置于所述封装引线框架上，并与所述控制回路元件电性连接；以及一第二金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管堆叠于所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的远离所述封装引线框架的一侧，并与所述控制回路元件电性连接。