[实用新型]晶圆薄膜定向生长的监控装置有效
申请号: | 201120429200.0 | 申请日: | 2011-11-02 |
公开(公告)号: | CN202330278U | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 涂火金;三重野文健 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G01N21/35 | 分类号: | G01N21/35;H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种晶圆薄膜定向生长的监控装置,设置于反应腔内,包括红外线发射器和红外线探测器,所述红外线发射器和红外线探测器相对设置于所述反应腔的顶部。本实用新型通过在反应腔的顶部设置红外线发射器和红外线探测器,红外线发射器发出的红外线射到晶圆的表面并被晶圆的表面反射,红外线探测器会接收晶圆表面反射出的红外线,由于每种物质对应的红外线光谱是不同的,因此,红外线探测器可以识别出晶圆表面不同部位的物质构成,也即,红外线探测器可以识别出晶圆表面的薄膜定向生长情况。另外,通过设置控制器和控制阀,控制器可以根据来自红外线探测器的信息,控制控制阀调整供气管路的流量,使得晶圆表面的定向生长反应趋于正常。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 定向 生长 监控 装置 | ||
【主权项】:
一种晶圆薄膜定向生长的监控装置,设置于反应腔内,其特征在于,包括红外线发射器和红外线探测器,所述红外线发射器和所述红外线探测器相对设置于所述反应腔的顶部。
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