[实用新型]压接式IGBT器件有效
| 申请号： | 201120231628.4 | 申请日： | 2011-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN202120918U | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 高占成;徐爱民;顾标琴 | 申请（专利权）人： | 润奥电子（扬州）制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L23/36 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 孙忠明 |
| 地址： | 225006 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 压接式IGBT器件，包括并联的多个单元器件（1），每个所述单元器件（1）包括依次层叠的发射极钼片（101）、IGBT芯片（102）和集电极钼片（103），该多个单元器件密封地封装在陶瓷管壳内，并且压接在该陶瓷管壳的顶部和底部之间。本实用新型的压接式IGBT器件结构紧凑，密封良好，无任何阴线连接和焊接，器件的电感引入小，适合在高压大电流、高频下使用，并且产品的一致性良好。此外，本实用新型制造工艺简单，成本低廉，便于大规模生产，生产效率高，更重要的是，由于本实用新型获得的IGBT器件开关性能良好，由于可通过陶瓷管壳的顶部和底部双面散热，因此该器件的热阻小，热疲劳性能好，散热良好，电流额定值高。 | ||
| 搜索关键词： | 压接式 igbt 器件 | ||
【主权项】：
压接式IGBT器件，其特征是，包括并联的多个单元器件（1），每个所述单元器件（1）包括依次层叠的发射极钼片（101）、IGBT芯片（102）和集电极钼片（103），该多个单元器件密封地封装在陶瓷管壳内，并且压接在该陶瓷管壳的顶部和底部之间。
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