[发明专利]用于衬底上的薄膜层的持续淀积和处理的气相淀积过程无效

专利信息
申请号: 201110462697.0 申请日: 2011-12-23
公开(公告)号: CN102560377A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: S·D·费尔德曼-皮博迪 申请(专利权)人: 初星太阳能公司
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/56;C23C14/54;C23C14/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李强;谭祐祥
地址: 美国科*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于衬底上的薄膜层的持续淀积和处理的气相淀积过程。提供了一种用于使升华的源材料作为薄膜而气相淀积到光伏模块衬底上以及进行后续气相处理的一体化设备。该设备可包括装载真空室、第一气相淀积室和第二气相淀积室,它们一体地连接成使得输送通过设备的衬底保持在小于大约760托的系统压力处。传送器系统可以可操作地设置在设备内,并且构造成以串行布置来以受控的速度将衬底输送到装载真空室中且输送通过其中,输送到第一气相淀积室中且输送通过其中,以及输送到第二气相淀积室中且输送通过其中。还提供了用于制造薄膜碲化镉薄膜光伏装置的过程。
搜索关键词: 用于 衬底 薄膜 持续 处理 气相淀积 过程
【主权项】:
一种制造薄膜碲化镉薄膜光伏装置的过程,所述过程包括:将衬底(14)输送出到第一气相淀积室(19)中,其中,所述第一气相淀积室(19)包括源材料,其中,所述源材料包括碲化镉;通过加热所述源材料以产生淀积到所述衬底(14)上的源蒸气来使碲化镉层淀积到所述衬底(14)上;将所述衬底(14)从所述第一气相淀积室(19)输送到第二气相淀积室(21)中,其中,所述第二气相淀积室(22)包括处理材料,其中,所述处理材料包括氯化镉;以及,通过加热所述处理材料以产生淀积到所述衬底(14)上的处理蒸气来处理所述碲化镉层,其中,所述衬底(14)在小于大约760托的系统压力处输送通过所述第一气相淀积室(19)和所述第二气相淀积室(21)。
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