[发明专利]高纯钽靶材的制备方法有效
申请号: | 201110460441.6 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN102517531A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;周友平 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料有限公司 |
主分类号: | C22F1/18 | 分类号: | C22F1/18;C23C14/34;C23C14/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种高纯钽靶材的制备方法,包括:对高纯钽锭进行预热;对所述预热的高纯钽锭进行至少两次锻造,在每次锻造后均对高纯钽锭进行热处理;对最后一次热处理后的高纯钽锭进行挤压,形成钽板料;对所述钽板料进行热加工,形成钽靶材坯料;对所述钽靶材坯料进行机械加工,形成钽靶材。本发明制作钽靶材的工艺能够保证钽靶材具有较好的均匀性和致密性,符合半导体溅射用钽靶材晶粒要求和晶向要求。 | ||
搜索关键词: | 高纯 钽靶材 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高纯钽靶材的制备方法,其特征在于,包括:对高纯钽锭进行预热;对所述预热的高纯钽锭进行至少两次锻造,在每次锻造后均对高纯钽锭进行热处理;对最后一次热处理后的高纯钽锭进行挤压,形成钽板料;对所述钽板料进行热加工,形成钽靶材坯料;对所述钽靶材坯料进行机械加工,形成钽靶材。
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