[发明专利]单晶N型太阳能电池片制绒方法无效
| 申请号： | 201110459704.1 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102496569A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 崔景光;于全庆;李永超;张红妹;陈静 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 071051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种单晶N型太阳能电池片制绒方法，包括以下步骤：对表面质量不合格的单晶N型太阳能电池片进行酸制绒，腐蚀的第一预设深度大于PN结的深度，得到酸制绒电池片；对酸制绒电池片进行碱制绒，腐蚀第二预设深度，得到表面合格的单晶N型太阳能电池片。由于单晶N型太阳能电池片表面存在扩散的硼，生产出来的电池片合格率低，因此首先对表面质量不合格的单晶太阳能电池片进行酸制绒，利用酸制绒的电化学腐蚀将其腐蚀第一预设厚度，以去除PN结结构；然后再进行碱制绒，腐蚀第二预设深度，使单晶太阳能电池片的表面形成金字塔形绒面，大大增加了电池片表面的受光面积，减少反射，提高了单晶N型太阳能电池片表面的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 片制绒 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶N型太阳能电池片制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：1)、对表面质量不合格的单晶N型太阳能电池片进行酸制绒，腐蚀的第一预设深度大于PN结的深度，得到酸制绒单晶太阳能电池片；2)、对酸制绒单晶太阳能电池片进行碱制绒，腐蚀第二预设深度，得到表面合格的单晶太阳能电池片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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