[发明专利]相变存储器中相变电阻的形成方法有效
| 申请号： | 201110459303.6 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187524A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 朱南飞;吴关平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器中相变电阻的形成方法，包括：提供衬底，衬底中形成有底部电极，底部电极的上表面与衬底的上表面相平；在衬底上形成多条平行的第一相变电阻，第一相变电阻沿位线方向延伸，第一相变电阻位于对应的底部电极上；在相邻两条第一相变电阻之间形成具有沟槽的介质层，沟槽底部暴露出对应的底部电极；在沟槽中填充相变材料，形成第二相变电阻，第二相变电阻沿位线方向延伸，第二相变电阻位于对应的底部电极上。本发明技术方案将自对准工艺和光刻、刻蚀工艺结合，从而可以形成特征尺寸小于40nm的相变电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 电阻 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器中相变电阻的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中形成有底部电极，所述底部电极的上表面与所述衬底的上表面相平；在所述衬底上形成多条平行的第一相变电阻，所述第一相变电阻沿位线方向延伸，所述第一相变电阻位于对应的底部电极上；在相邻两条第一相变电阻之间形成具有沟槽的介质层，所述沟槽底部暴露出对应的底部电极；在所述沟槽中填充相变材料，形成第二相变电阻，所述第二相变电阻沿位线方向延伸，所述第二相变电阻位于对应的底部电极上。
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