[发明专利]一种金锡合金薄膜制备工艺无效
| 申请号： | 201110457880.1 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102560371A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陈国政;杨丙文;沓世我;王建明;陈明钧;陈鉴波 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/30;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 杨利娟 |
| 地址： | 526020 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金锡合金薄膜制备工艺，利用电子束蒸发镀膜，在氧化铝陶瓷基片或氮化铝陶瓷基片上获得多层Au和Sn的金属层，然后通过共晶热处理得到了金锡合金薄膜，所述电子束蒸发镀膜过程中，真空度为1.0E-4Pa～5.0E-3Pa；轰击电流为50～200mA；基底温度为50～250℃；基片转速为15～20r/m；电子束电压为6kV～8kV；蒸发金Au电流为200～300mA；蒸发Sn电流为200～300mA。该合金膜具有良好的可焊性、较高的附着力、稳定的组分、外观好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 薄膜 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种金锡合金薄膜制备工艺，利用电子束蒸发镀膜，在氧化铝陶瓷基片或氮化铝陶瓷基片上获得多层Au和Sn的金属层，然后通过共晶热处理得到了金锡合金薄膜，其特征在于：所述电子束蒸发镀膜过程中，真空度为1.0E‑4 Pa～5.0E‑3Pa；轰击电流为50～200mA；基底温度为50～250℃；基片转速为15～20r/m；电子束电压为6kV～8kV；蒸发金Au电流为200～300mA；蒸发Sn电流为200～300mA。
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