[发明专利]高深宽比深孔的种子层的制备方法有效
| 申请号： | 201110457844.5 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187364A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈骁;罗乐;徐高卫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/16 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在高深宽比深孔中制备种子层的方法，包括，提供晶圆，所述晶圆的正面带有深孔；在所述晶圆的正面形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述深孔的底部和侧壁；在所述绝缘层上蒸发沉积阻挡层；以及在所述阻挡层上蒸发沉积种子层。在蒸发沉积所述阻挡层和所述种子层时，加热使所述晶圆达到200℃至250℃，并旋转所述晶圆；在蒸发沉积所述种子层时，采用分步沉积法。根据本发明的制备方法，能够实现深宽比达到10、深度为280um的深孔的种子层连续覆盖，能够对不同尺寸的TSV实现种子层的连续覆盖；并且工艺过程简单，可操作性强；该方法只需一步完成，降低了工艺的时间和成本，适合于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 高深 种子 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种在高深宽比深孔中制备种子层的方法，其特征在于包括以下步骤，1)提供晶圆，所述晶圆的正面带有深孔；2)在所述晶圆的正面形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述深孔的底部和侧壁；3)在所述绝缘层上蒸发沉积阻挡层；以及4)在所述阻挡层上蒸发沉积种子层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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