[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件。在功率MOSFET等的超结结构中，主体单元部分的浓度相对较高，所以针对使用现有技术的外围端接结构或降低表面场结构的外围部分难以确保击穿电压等于或高于单元部分的击穿电压。具体而言，问题出现在于，在芯片的外围拐角部分中，由于电场集中导致击穿电压的变化对于超结结构中的电荷失衡变得敏感。在本发明中，在诸如在有源单元区域和芯片外围区域中的每个区域中具有超结结构的功率MOSFET之类的半导体功率器件中，与第一导电类型的漂移区域的表面的第二导电类型的主结耦合并具有比主结浓度更低浓度的、第二导电类型的表面降低表面场区域的外端位于主结的外端与芯片外围区域中的超结结构的外端之间的中间区域中。

主权项

一种半导体器件，包括：(a)半导体芯片，具有第一主表面和第二主表面，所述第一主表面设置有功率MOSFET的源极电极，所述第二主表面设置有所述功率MOSFET的漏极电极；(b)第一导电类型的漂移区域，设置在所述半导体芯片的基本上整个第一主表面中；(c)基本上设置在所述第一主表面的中间部分处的基本上矩形的有源单元区域、沿着所述有源单元区域的各个侧部设置在所述有源单元区域的外侧的外围侧部区域以及设置在所述有源单元区域的各个拐角部分的外侧的外围拐角区域；(d)第一超结结构，具有第一取向，并且设置在所述单元区域的基本上整个表面中和所述漂移区域中；(e)第二超结结构和第三超结结构，每个都具有与所述第一超结结构的宽度和取向基本上相同的宽度和取向，并且在所述第一超结结构的第一取向的方向中设置在所述有源单元区域的两侧上的每个所述外围侧部区域的漂移区域中从而耦合到所述第一超结结构；(f)第四超结结构和第五超结结构，每个都具有与所述第一超结结构的取向基本上正交的取向，并在与所述第一超结结构的第一取向的方向正交的方向上设置在所述有源单元区域的两侧上的每个所述外围侧部区域的漂移区域中；(g)第二导电类型的主结区域，其为所述有源单元区域的外端部分并且设置在所述漂移区域的表面中使得围绕所述有源单元区域；以及(h)所述第二导电类型的表面降低表面场区域，设置在所述漂移区域的表面中使得耦合到所述主结区域的外端并围绕所述主结区域，其中所述表面降低表面场区域的外端位于所述主结区域的外端 与由所述第二至第五超结结构形成的外围超结区域的外端之间的中间区域中。