[发明专利]用于处理衬底表面的叶片模块无效
| 申请号： | 201110455475.6 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102931119A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 安吉秀;张承逸;崔钟春 | 申请（专利权）人： | 株式会社MM科技 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道安山市檀园区木内*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供用于处理衬底表面的叶片模块，其实现紧凑简洁设备的配置，所述叶片模块能够有效地移除形成于衬底表面(具体来说硅膜表面)上的氧化硅膜，从而提高所述衬底的所述表面的均匀度，且实现对清洗率的精确控制。所述叶片模块包含流体提供模块，所述流体提供模块在长度方向上朝所述衬底提供选自由蚀刻流体和水组成的群组中的至少一者；喷气模块，其中喷气喷嘴布置在所述长度方向上，并朝所述衬底喷射流体切割空气；以及框架，其固定所述流体提供模块的两个相对端以及所述喷气模块的两个相对端，以将所述流体提供模块和所述喷气模块装配在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 衬底 表面 叶片 模块 | ||
【主权项】：
一种叶片模块，用于处理衬底的表面，所述叶片模块包括：流体提供模块，其在长度方向上朝所述衬底提供选自由蚀刻流体和水组成的群组中的至少一者；喷气模块，其中喷气喷嘴布置在所述长度方向上，并朝所述衬底喷射流体切割空气；以及框架，其固定所述流体提供模块的两个相对端以及所述喷气模块的两个相对端，以将所述流体提供模块与所述喷气模块装配在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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