[发明专利]具有基板穿孔的中间体的半导体封装及其制造方法有效
| 申请号： | 201110454330.4 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102646668A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 崔允硕;李忠善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/498;H01L23/31;H01L23/538;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了具有基板穿孔的中间体的半导体封装及其制造方法，该半导体封装通过包括具有基板穿孔(TSV)的中间体而具有减小的尺寸，该半导体封装可以包括下半导体封装，该下半导体封装包括下基底基板、在下基底基板上具有TSV的中间体以及在中间体上并电连接到中间体的下半导体芯片。半导体封装可以包括在下半导体封装上的上半导体封装，该上半导体封装包括上半导体芯片和在中间体上并将上半导体封装电连接到中间体的封装连接件。可以设置外部模制件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿孔 中间体 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：下半导体封装，包括：由半导体材料或玻璃材料形成的中间体，包括下表面、上表面、在所述下表面上的下端子、在所述上表面上的上端子以及基板穿孔，该基板穿孔至少延伸穿过所述中间体的基板并将所述中间体的下端子电连接到所述中间体的相应上端子；安装到所述中间体上的下半导体芯片，所述下半导体芯片包括电连接到所述中间体的至少一些所述上端子的芯片垫；和模制材料，围绕所述下半导体芯片的侧面；上半导体器件，层叠在所述下半导体封装上，包括：下表面；在所述下表面上的端子；和集成电路，电连接到所述下表面上的至少一些所述端子；和导电凸块，设置在所述中间体的所述上表面上并延伸到所述上半导体器件的所述下表面且将所述中间体的所述上表面上的所述上端子电连接到所述上半导体器件的所述下表面上的相应所述端子，每个所述导电凸块包括下部和上部。
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