[发明专利]半导体封装制程及其封装结构无效
| 申请号： | 201110447003.6 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187487A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 林厚德;张超雄 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50;H01L33/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装制程及其封装结构，其包括以下的步骤；首先，提供一个基板，在所述基板上设置一个第一电极以及一个第二电极，并在所述第一、二电极之间设置贯穿所述基板的一个孔洞，接着，设置一个LED芯片，在所述第一、二电极上，并与所述第一、二电极达成电性连接，然后，形成一个透镜，在所述LED芯片上方，所述透镜包括一个凸部以及一个凹部，并使所述凹部位于所述LED芯片的正向位置，最后形成一个荧光层，由所述孔洞注入荧光材料覆盖所述LED芯片。本发明并提供所述半导体封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体封装制程，其包括以下的步骤：提供一个基板，在所述基板上设置一个第一电极以及一个第二电极，并在所述第一、二电极之间设置贯穿所述基板的一个孔洞，设置一个LED芯片，在所述第一、二电极上，并与所述第一、二电极达成电性连接，形成一个透镜，在所述LED芯片上方，所述透镜包括一个凸部以及一个凹部，并使所述凹部位于所述LED芯片的正向位置，及形成一个荧光层，由所述孔洞注入荧光材料覆盖所述LED芯片。
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