[发明专利]发光装置及其制造方法、透明导电膜的形成方法及电子设备

摘要

本发明提供一种发光装置、透明导电膜的形成方法、发光装置的制造方法及电子设备。该发光装置能够改善构成发光区域的半导体层叠结构与形成于其上的透明导电膜之间的紧密接合性，并能够减小这两者之间的接触电阻。在发光装置中，对形成在蓝宝石基板(11)上并形成发光装置的半导体层叠结构的p型GaN层(16)而言，相对于该p型GaN层表面所含有的全部元素的含有率，其碳含有比率为10％～30％，另外，相对于该p型GaN层表面所含有的全部元素的含有率，其氧含有比率为10％～25％，在该p型GaN层(16)上形成有ITO膜(17)。

主权项

一种发光装置，其具有形成于基板上并由多个III‑V族化合物半导体层构成的层叠结构，该发光装置的特征在于，具有：构成该层叠结构的GaN层；形成于该GaN层上的透明导电膜；该GaN层中，相对于存在于其表面的全部元素的比例总和，其表面的碳原子的比例为10％～30％。