[发明专利]一种改善晶硅太阳能电池片中异常片的方法无效
| 申请号： | 201110444630.4 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102496657A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 周小荣;周大良;罗亮;汤辉;黄盛娟;华菁 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体晶体硅及太阳能电池制造技术领域，公开了一种改善晶硅太阳能电池片中异常片的方法。将异常片浸没在质量浓度为1％-5％的HF酸中30秒-90秒后，用去离子水漂洗，氮气吹干即可。该方法能够有效提高弥补烧结缺陷，提高晶硅太阳能电池的光电转换效率(提高1％以上)，从而提高电池片的合格率。该方法耗时短，处理效率高，可操作性很强，成本低，不需要大型设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 太阳能电池 片中 异常 方法 | ||
【主权项】：
一种改善晶硅太阳能电池片中异常片的方法，其特征是，将异常片浸没在质量浓度为1％‑5％的HF酸中30秒‑90秒后，用去离子水漂洗，氮气吹干即可；所述异常片为电性能参数中串联电阻Rs大于10mΩ，填充因子FF小于75％，且光电转换效率低于17％的晶硅太阳能电池片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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