[发明专利]悬空图形化氧化铪衬底氮化物谐振光子器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110441606.5 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102530822A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王永进;朱洪波 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种悬空图形化氧化铪衬底氮化物谐振光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底晶片，其特征在于：还包括一层氧化铪衬底层和一层氮化物薄膜层自下而上位于所述硅晶片上；所述硅衬底层具有一个的凹形空腔结构；所述顶层氮化物器件层和氧化铪衬底层位于空腔上部的部分具有相同的纳米光子器件结构；本发明还公开了一种悬空图形化氧化铪衬底氮化物谐振光子器件的制备方法。本发明所设计的悬空图形化氧化铪衬底氮化物谐振光子器件及其制备方法能够解决氮化物纳米结构制备过程中的刻蚀损伤问题，并通过生长的方式，直接获得高质量的悬空氮化物谐振光子器。 | ||
| 搜索关键词： | 悬空 图形 氧化 衬底 氮化物 谐振 光子 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种悬空图形化氧化铪衬底氮化物谐振光子器件，实现载体为硅衬底晶片，其特征在于：还包括一层氧化铪衬底层和一层氮化物薄膜层，所述氧化铪衬底层设置在硅衬底晶片上，所述氮化物薄膜层设置在氧化铪衬底层上；所述硅衬底晶片具有凹形空腔结构；所述氮化物薄膜层和氧化铪衬底层位于凹形空腔上部的部分具有相同的纳米光子器件结构。
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