[发明专利]交插导体结构有效

专利信息
申请号: 201110436286.4 申请日: 2011-12-22
公开(公告)号: CN102543104A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: J.T.康特雷拉斯;N.尼西亚马;E.D.罗森伯格;R.A.扎凯;张一多 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/53 分类号: G11B5/53;G11B5/48
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 李昕巍
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及一种交插导体结构,包括:导电下层;第一电绝缘层,设置在该导电下层之上;多条第一电迹线,设置在该第一电绝缘层上且彼此间隔开第一距离,该多条第一电迹线中的每条电迹线具有第一宽度;第二电绝缘层,设置在该多条第一电迹线上;以及多条第二电迹线,设置在该第二电绝缘层上且彼此间隔开第二距离,该第二距离基本等于该第一距离,该多条第二电迹线中的每条电迹线具有第二宽度,其中该多条第二电迹线中的每条电迹线从所述多条第一电迹线中的各条电迹线偏移,其中所述多条第一电迹线和所述多条第二电迹线每个都包括正相迹线和负相迹线,且其中该多条第一电迹线相对于该多条第二电迹线交插。该交插导体结构可允许增大的特征阻抗范围,更大的干扰屏蔽和减小的信号损失,信号损失由损耗导电基板导致。电迹线可具有不同的宽度、偏移,或者甚至在通路连接处彼此围绕。
搜索关键词: 导体 结构
【主权项】:
一种交插导体结构,用于读/写电子系统与邻近磁记录盘的头和头滑块之间的电连接,该交插导体结构包括:导电下层;第一电绝缘层,设置在该导电下层之上;多条第一电迹线,设置在该第一电绝缘层上且彼此间隔开第一距离,该多条第一电迹线中的每条电迹线具有第一宽度;第二电绝缘层,设置在该多条第一电迹线上;以及多条第二电迹线,设置在该第二电绝缘层上且彼此间隔开第二距离,该第二距离基本等于该第一距离,该多条第二电迹线中的每条电迹线具有第二宽度,其中该多条第二电迹线中的各条电迹线从所述多条第一电迹线中的各条电迹线偏移,其中所述多条第一电迹线和所述多条第二电迹线每个都包括正相迹线和负相迹线,且其中该多条第一电迹线相对于该多条第二电迹线交插。
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