[发明专利]一种氟化镁钡单晶的生长方法有效
| 申请号： | 201110434476.2 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102534774A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 武安华;徐军;苏良碧;李红军;钱国兴;姜林文;钱小波;王静雅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氟化镁钡单晶的生长方法，所述生长方法包括如下步骤：首先将BaF2和MgF2的混合粉体或BaMgF4粉体进行氟化处理；然后将氟化处理后的粉体和籽晶放入铂坩埚中，气密坩埚；再将铂坩埚置入单晶炉中，采用坩埚下降法生长氟化镁钡单晶。本发明所述的氟化镁钡单晶的生长方法具有如下优点：温场稳定，生长过程中无需通入CF4气体；生长的BaMgF4单晶完整性好，无宏观及微观缺陷；成品率高，晶体尺寸和外形容易控制；晶体不易开裂；另外，该方法工艺设备简单，操作方便，能耗明显降低，有利于实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氟化 镁钡单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种氟化镁钡单晶的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将BaF2和MgF2的混合粉体或BaMgF4粉体进行氟化处理；b)将氟化处理后的粉体和籽晶放入铂坩埚中，气密坩埚；c)将铂坩埚置入单晶炉中，采用坩埚下降法生长氟化镁钡单晶。
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