[发明专利]一种衬底表面喷射裂解硒源的方法

摘要

本发明涉及一种衬底表面喷射裂解硒源的方法，包括将硒蒸气进入高温裂解室，硒蒸气在高温裂解室内穿过孔径0.2-0.5mm均匀布满孔的两层多孔栅板，硒蒸气形成裂解硒源，所述裂解硒源喷射到衬底表面，完成在衬底表面喷射裂解硒源的过程。本发明采用将硒蒸气高温穿过两层多孔栅板，由Sen（n≥5）大原子团裂解为Sen（n<5）小原子团，增加了高活性Se2的数量，提高了硒元素的反应活性，有效改善了铜铟镓硒薄膜太阳电池CIGS层的成膜质量，对提高铜铟镓硒薄膜太阳电池的光电转换效率起到积极作用;通过喷孔把小原子团的硒蒸气直接喷射到衬底表面，使硒材料充分参与CIGS层的反应成膜过程，从而提高硒材料利用率。

主权项

一种衬底表面喷射裂解硒源的方法，包括将硒源蒸发室中的固态硒加热，产生硒蒸气，其特征在于：将所述硒蒸气进入温度500‑800℃的高温裂解室，硒蒸气在高温裂解室内穿过孔径0.2‑0.5mm均匀布满孔的两层多孔栅板，硒蒸气形成裂解硒源，所述裂解硒源通过温度大于400‑500℃的出气管道喷射到衬底表面，完成在衬底表面喷射裂解硒源的过程。