[发明专利]一种III-V族半导体镍金属化制造方法有效
| 申请号： | 201110429393.4 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102496567A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;王虹;卢力;常虎东;孙兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III-V族半导体镍金属化制造方法，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层上淀积栅介质层，在该栅介质层上淀积栅金属层；在未被栅介质层及栅金属层覆盖的该外延层之上、栅介质层及栅金属层的侧壁以及栅金属层之上，淀积难融金属层；在该难融金属层上淀积合金金属层；以及快速退火形成合金层，其中该合金层是所述合金金属层穿透所述难融金属层后与该外延层一起合金形成的。本发明通过在金属Ni下面插入一层阻挡层，调控Ni与III-V族半导体反应速率，提高腐蚀液对Ni与Ni合金层的选择比。本发明可以在不增加方阻的前提下改善源漏Ni金属表面形貌，最终达到提高源漏欧姆接触特性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 半导体 金属化 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种III‑V族半导体镍金属化制造方法，其特征在于，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层上淀积栅介质层，在该栅介质层上淀积栅金属层；在未被栅介质层及栅金属层覆盖的该外延层之上、栅介质层及栅金属层的侧壁以及栅金属层之上，淀积难融金属层；在该难融金属层上淀积合金金属层；以及快速退火形成合金层，其中该合金层是所述合金金属层穿透所述难融金属层后与该外延层一起合金形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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