[发明专利]腔室调节方法有效

专利信息
申请号: 201110426099.8 申请日: 2011-12-16
公开(公告)号: CN102994979A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 陈彦羽;蔡家铭;纪良臻;陈健源;刘格志 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 北京德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;房岭梅
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 公开了用于调节腔室的系统和方法。实施例包括应用沉积腔室沉积第一层,以及调节沉积腔室。可以通过在第一层上方沉积不同种类的材料实施调节沉积腔室的步骤。不同种类的材料可以覆盖并密封第一层,从而阻止第一层的颗粒脱落以及在后续的加工运行期间可能落在衬底上。本发明还提供了一种腔室调节方法。
搜索关键词: 调节 方法
【主权项】:
一种用于沉积材料的方法,所述方法包括:在沉积腔室的表面上形成第一层,所述第一层包含第一材料并具有突出物;以及在形成所述第一材料之后调节所述沉积腔室,所述调节在所述第一材料和所述突出物的上方形成第二层,所述第二层包含第二材料,所述第二材料不同于所述第一材料。
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