[发明专利]一种湿法刻蚀工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅片的湿法刻蚀工艺，主要含有背面抛光工序，在刻蚀去边结之后，增加采用抛光液对晶体硅背面进行抛光工序，抛光时抛光液的温度为5~30℃，抛光时间为10s~10min，抛光液含有以下质量百分含量的组分：HF0.5%~10%、HNO35%~55%、H2SO45%~55%、醋酸5%~30%。通过增加背面抛光工序，可以使硅片背面更加光滑，加强其背反射，增强对太阳光中的长波段光谱的吸收，从而增加光能转换，提高电池的Isc，最终提高电池的转化效率。并且光滑的电池背面更加有利于后续铝硅合金与硅体的结合，提高其欧姆接触，加强该界面对光的反射效果，提高Voc，最终提高电池的转换效率。

主权项

一种晶体硅片的湿法刻蚀工艺，主要含有背面抛光工序，其特征是：在刻蚀去边结之后，增加采用抛光液对晶体硅背面进行抛光工序，抛光时抛光液的温度为5~30℃，抛光时间为10s~10min，抛光液含有以下质量百分含量的组分：HF 0.5%~10%、HNO35%~55%、H2SO45%~55%、醋酸5%~30%。