[发明专利]用于在半导体本体中制造插塞的方法有效
| 申请号： | 201110420023.4 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102569175A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | O.布兰克;R.西米尼克;M.H.韦勒迈耶 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明公开了用于在半导体本体中制造插塞的方法。一种用于在半导体层中制造电极的方法包括：提供具有第一表面和第二表面的衬底；形成第一槽，所述第一槽具有侧壁并且从所述第一表面延伸到所述衬底中；以及在所述第一槽中形成插塞。所述方法还包括：通过在所述第一表面开始去除半导体材料来减小所述半导体衬底的厚度，以便至少部分地暴露所述插塞的侧壁；以及在所述半导体衬底上形成半导体层，所述半导体层至少部分地覆盖所述插塞的暴露侧壁，并且具有上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 本体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体层中制造电极的方法，所述方法包括：提供具有第一表面和第二表面的衬底；形成第一槽，所述第一槽具有侧壁并且从所述第一表面延伸到所述衬底中；在所述第一槽中形成插塞；通过在所述第一表面开始去除半导体材料来减小所述半导体衬底的厚度，以便至少部分地暴露所述插塞的侧壁；在所述半导体衬底上形成半导体层，所述半导体层至少部分地覆盖所述插塞的暴露侧壁，并且具有上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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