[发明专利]抗辐照加固的SOI结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110418323.9 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102437087A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 吕荫学;毕津顺;罗家俊;韩郑生;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法。一种SOI结构抗辐照的制作方法，该方法包括以下步骤：提供两个晶片，在至少一个所述晶片的表面形成绝缘氧化层后；对所述绝缘氧化层进行辐照质子、中子等注入，在绝缘氧化层中引入位移损伤；将两个所述晶片通过所述绝缘氧化层进行键合；对键合后的两个晶片之一进行减薄，形成SOI结构。本发明在利用键合技术制备SOI的过程中，通过向埋氧层中注入质子、中子等引入位移损伤形成复合中心的方法来提高SOI器件的抗辐照性能，同时还避免了对顶层硅层所造成的损伤，不会影响器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 辐照 加固 soi 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种加固SOI结构抗辐照性能的方法，该方法包括以下步骤：a)提供两个晶片，在至少一个所述晶片的表面形成绝缘氧化层；b)对所述绝缘氧化层进行高能粒子注入；c)将两个所述晶片通过所述绝缘氧化层进行键合；d)对键合后的两个晶片之一进行减薄，形成SOI结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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