[发明专利]可快速量产的直立式薄膜沉积装置与方法无效
申请号: | 201110414495.9 | 申请日: | 2011-12-13 |
公开(公告)号: | CN103160805A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 李炳寰;杨主见 | 申请(专利权)人: | 亚树科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 王晶;王俊民 |
地址: | 中国台湾台南市新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种可快速量产的直立式薄膜沉积装置与方法。通过将热处理与薄膜沉积所需的腔体分离,直立式基板于薄膜沉积腔体沉积薄膜时可以具有稳定的均温性且不易变形,以得到高质量的薄膜质量,可应用大面积且快速量产的制程中。 | ||
搜索关键词: | 快速 量产 立式 薄膜 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种可快速量产的直立式薄膜沉积装置,其特征在于,包括:一热处理系统,具有一加热腔体、一冷却腔体及一切换装置,用于对至少两个直立式基板进行一加热制程或一冷却制程,切换装置具有一第一对准感应装置及一第二对准感应装置;一薄膜沉积腔体,设置于热处理系统的一侧,用以对直立式基板进行一薄膜沉积制程;以及一卸片装置,设置于薄膜沉积腔体相对于热处理系统的另一侧,具有一卸片推杆,用以将直立式基板由薄膜沉积腔体送出至热处理系统;其中,通过第一对准感应装置,热处理系统的切换装置可移动加热腔体以对准薄膜沉积腔体;通过第二对准感应装置,热处理系统的切换装置可移动冷却腔体以对准薄膜沉积腔体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的