[发明专利]以Y2Si2O7为基质的三维有序多孔上转换发光材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110414463.9 申请日: 2011-12-13
公开(公告)号: CN102517015A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 杨正文;邱建备;宋志国;周大成;尹兆益 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C09K11/79 分类号: C09K11/79
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种以Y2Si2O7为基质的三维有序多孔上转换发光材料及其制备方法,通过将硝酸钇、正硅酸乙酯、硝酸铒和硝酸镱分别溶解于无水乙醇中,按Y离子、Si离子、Yb离子与Er离子的摩尔比为1︰1︰0.01~0.2︰0.01~0.2取上述四种溶液混合均匀,得到前驱物溶液;再将前驱物溶液填入有序阵列模板中,然后煅烧后,即得到Yb、Er共掺杂的以Y2Si2O7为基质的三维有序多孔上转换发光材料;该材料中Y2Si2O7︰Yb离子︰Er离子的摩尔比=1︰0.01~0.2︰0.01~0.2。该材料在980nm激光的激发下,具有较强的上转换发射,且可重复使用性高,制备方法简单,基质材料化学稳定性好。
搜索关键词: sub si 基质 三维 有序 多孔 转换 发光 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种以Y2Si2O7为基质的三维有序多孔上转换发光材料,其特征在于:该材料中Y2Si2O7︰Yb离子︰Er离子的摩尔比=1︰0.01~0.2︰0.01~0.2。
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