[发明专利]SF6断路器旋磁压气式灭弧室结构无效
| 申请号： | 201110408600.8 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102543553A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘晓明;曹云东;吕东旭 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01H33/18 | 分类号： | H01H33/18;H01H33/91 |
| 代理公司： | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人： | 郭元艺 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈阳市沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属高压SF6断路器领域，尤其涉及高压SF6断路器旋磁压气式灭弧室结构，它包括活塞（1）、压气缸（2）、动主触头（3）、动弧触头（4）、静主触头（5）、静弧触头（6）及喷口（7）；在喷口（7）上游，于动弧触头（3）的端部附近固定设有轴向旋转磁场发生装置（8）；轴向旋转磁场发生装置（8）采用硅钢圆筒型；轴向旋转磁场发生装置（8）包括硅钢圆筒（10）及线圈绕组（9）；在硅钢圆筒（10）上等份开有绕组槽；在绕组槽内置入线圈绕组（9）；绕组槽的个数为6～50个。本发明可使电弧迅速冷却熄灭，减少触头烧蚀，保护触头结构，绝缘性能好，提高了高压断路器开断能力及运行可靠性，延长了高压断路器的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | sf sub 断路器 压气 式灭弧室 结构 | ||
【主权项】：
SF6断路器旋磁压气式灭弧室结构，包括活塞（1）、压气缸（2）、动主触头（3）、动弧触头（4）、静主触头（5）、静弧触头（6）及喷口（7）；其特征在于：在所述喷口（7）上游，于动弧触头（3）的端部附近固定设有轴向旋转磁场发生装置（8）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳工业大学，未经沈阳工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110408600.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
