[发明专利]一种采用空心硅芯生长多晶硅的方法无效
| 申请号： | 201110408314.1 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103160926A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘朝轩;王晨光 | 申请（专利权）人： | 洛阳金诺机械工程有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/14;C01B33/035 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 471009 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种采用空心硅芯生长多晶硅的方法，涉及一种多晶硅的生长方法，包括以下步骤，将两根竖硅芯管(3)的下端与底座(5)上部设置的插柱(4)或套管(13)或插柱(4)与套管(13)之间的间隙连接，两根竖硅芯管(3)的上端与横硅芯管(2)或方硅芯(7)或圆硅芯(10)的两边搭接，获取“∏”形导电回路；本发明通过将两根竖硅芯管的上端与横硅芯管或方硅芯或圆硅芯的两边通过可行的搭接方式，获取“∏”形导电回路，实现了增大硅芯表面面积的目的，达到了多晶棒快速生长的诉求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 空心 生长 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种采用空心硅芯生长多晶硅的方法，其特征是：包括以下步骤，将两根竖硅芯管(3)的下端与底座(5)上部设置的插柱(4)或套管(13)或插柱(4)与套管(13)之间的间隙连接，两根竖硅芯管(3)的上端与横硅芯管(2)或方硅芯(7)或圆硅芯(10)的两边搭接，获取“∏”形导电回路。
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