[发明专利]一种清洁晶片背面聚合物的装置和方法有效
| 申请号： | 201110407358.2 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103165494A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 吴紫阳;邱达燕;万磊;彭帆 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32;H01L21/02;B08B7/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种清洁晶片背面聚合物沾污的装置及带有该装置的等离子体刻蚀室，本发明通过在聚焦环内部或下方设置一导电环，并在刻蚀结束后的清洗过程中供以一静电位，提高了所述聚焦环的电势，提高了离子向晶片背面边缘的轰击能量，有效清除了晶片背面的聚合物沾污，本发明所述方案结构简单，成本合理，效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洁 晶片 背面 聚合物 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种清洁晶片背面聚合物的装置，其围绕设置于一等离子体刻蚀室中的晶片和支撑所述晶片的基座的外周侧，所述晶片的边缘突出于所述的基座的上表面的边缘，特征在于：所述装置包括：一聚焦环，其围绕设置于所述晶片的外周侧；所述聚焦环具有一延伸部，其至少部分地延伸至晶片背面的边缘之下；一导电环，其围绕设置于所述基座的外周侧，位于所述聚焦环的下方，所述导电环和所述聚焦环之间设置一绝缘层；一直流电源，可选择地连通到所述导电环，为其提供一静电位。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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