[发明专利]硅通孔检测结构及对应的检测方法有效
| 申请号： | 201110406875.8 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103165486A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B7/26;G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅通孔检测结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的离子掺杂区，所述离子掺杂区包括第一区域和位于所述第一区域的两端且与第一区域电连接的第二区域，位于所述半导体衬底内的待检测硅通孔，所述待检测硅通孔横贯所述离子掺杂区的第一区域，且所述待检测硅通孔至少有部分区域位于所述第一区域的两侧。本发明实施例还提供了利用所述硅通孔检测结构对应的检测方法。当检测电压施加在第二区域两端时，利用检测到的检测电流，可以检测硅通孔的深度、扩散阻挡层的完整性是否合格，检测简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 检测 结构 对应 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔检测结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的离子掺杂区，所述离子掺杂区包括第一区域和位于所述第一区域的两端且与第一区域电连接的第二区域；位于所述半导体衬底内的待检测硅通孔，所述待检测硅通孔横贯所述离子掺杂区的第一区域，且所述待检测硅通孔至少有部分区域位于所述第一区域的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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