[发明专利]制备大晶粒铸锭多晶硅的方法无效
| 申请号： | 201110405267.5 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102425008A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 熊震;付少永;张驰;王梅花 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备大晶粒铸锭多晶硅的方法，该方法采用高熔点的大晶粒薄膜来诱导多晶硅晶粒的定向生长。大晶粒薄膜为金属的高纯氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物或硼化物；或者为高纯的氮化硅、氮化硼、碳化硅、碳化硼；熔点高于1480℃，纯度≥99.9％，其厚度为0.01～500μm，晶粒粒径为10～400mm，在水平方向上，晶粒的晶面与晶体硅的某个晶面能有效匹配，从而诱导晶体硅晶粒的生长。通过本方法制备得到的铸锭多晶硅晶体，具有晶粒粗大的特征，平均晶粒粒度大于20mm，硅片少子寿命比采用相同铸锭工艺而无薄膜诱导生长的铸锭多晶高30％以上，制备成光伏电池片，转换效率的绝对值比采用相同铸锭工艺而无薄膜诱导生长的铸锭多晶高0.5～1.5％。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 晶粒 铸锭 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种制备大晶粒铸锭多晶硅的方法，其特征是：采用高熔点的大晶粒薄膜来诱导多晶硅晶粒的定向生长，在水平方向上，大晶粒薄膜的晶粒的晶面与晶体硅的某个晶面能有效匹配。
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