[发明专利]倒装芯片金凸点的制作方法在审
申请号: | 201110403757.1 | 申请日: | 2011-12-06 |
公开(公告)号: | CN103151275A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 刘葳;金鹏 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518055 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于半导体封装领域,其公开了一种倒装芯片金凸点的制作方法,包括如下步骤:采用丝网印刷的方法将高粘度的助焊剂印刷在电极UBM镀层上;采用植球器,选择一块儿相匹配的模板,将金球放置在焊接镀层上,并保证金球粘附在芯片电极UBM层上;采用激光重熔金球,选择合适的照射时间和功率,获得符合形态要求和电学、机械性能要求的金凸点。本发明利用激光钎焊能够局部加热、快速加热、快速冷却等独特的优越性,控制激光输入功率和激光照射时间,获得最佳的凸点形态、机械性能和电性能的金凸点。 | ||
搜索关键词: | 倒装 芯片 金凸点 制作方法 | ||
【主权项】:
一种倒装芯片凸点的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、采用丝网印刷的方法将高粘度的助焊剂印刷在电极UBM镀层上;S2、采用植球器,选择一块儿相匹配的模板,将金球放置在焊接镀层上,并保证金球粘附在芯片电极UBM层上;S3、采用激光重熔金球,选择合适的照射时间和功率,获得符合形态要求和电学、机械性能要求的金凸点;S4、完成芯片金凸点制作后,可以采用超声压接的方式也可以采用银胶粘结的方式倒装在基板上,后者便于修复。S5、所述发明根据助剂的不同,在回流焊接后如果有有机物残留,可以添加清洗工艺,通常采用工业酒精、丙酮或者去离子水进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造