[发明专利]用于形成金属接触的改进方法有效
申请号: | 201110403012.5 | 申请日: | 2011-10-14 |
公开(公告)号: | CN103117327A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | E·雷丁顿;T·C·舒特;卜路嘉;A·派瑞斯;S·E·哈巴斯;C·J·柯蒂斯;A·米丹纳;D·S·金利;M·F·A·M·范赫斯特 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司;可持续能源联盟有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭辉 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种在制造光电器件时采用金属墨来形成金属接触的方法。通过喷墨或气溶胶装置将金属墨有选择地沉积到半导体涂层上。加热合成物至其中金属墨烧穿涂层从而与半导体形成导电接触的选定温度。然后通过光诱导或光辅助电镀将多个金属层沉积到导电接触上。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 金属 接触 改进 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,它包括:a)提供烧穿金属墨;b)有选择地将所述烧穿金属墨施加到半导体衬底上的抗反射涂层上;c)焙烧具有所述抗反射涂层和所述烧穿金属墨的所述半导体衬底,以在来自所述烧穿金属墨的金属和所述半导体衬底之间形成欧姆接触;以及d)通过光诱导电镀将一个或多个金属层沉积到来自所述烧穿金属墨的金属上。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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