[发明专利]低压化学气相淀积装置及其薄膜淀积方法

摘要

本发明提供一种化学气相淀积（LPCVD）装置及其薄膜淀积方法，属于半导体薄膜制备技术领域。该LPCVD的反应炉的炉口部分处和炉尾部分处均设置有反应气体输入管路，在薄膜沉积时，每种反应气体同步地从所述炉口部分处的输入管路和所述炉尾部分处的输入管路通入所述反应炉内。使用该LPCVD装置制备的同批次晶圆的薄膜的一致性好，特别是晶粒尺寸一致性好，同时生产效率高、生产成本低。

主权项

一种低压化学气相淀积装置，包括反应炉，所述反应炉包括炉口部分和炉尾部分，所述炉口部分和炉尾部分之间用于置放多片晶圆，其特征在于，在所述炉口部分处和炉尾部分处均设置有反应气体输入管路。