[发明专利]孔内聚能爆破与光面爆破联合控制爆破法有效

专利信息
申请号: 201110402381.2 申请日: 2011-12-06
公开(公告)号: CN102519322A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 言志信 申请(专利权)人: 兰州大学
主分类号: F42D1/00 分类号: F42D1/00
代理公司: 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 代理人: 李艳华
地址: 730000 *** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明涉及一种孔内聚能爆破与光面爆破联合控制爆破法,该方法包括以下步骤:(1)对爆破开挖区划定周边轮廓线,并在主体爆破开挖区内布置微差爆破孔;(2)沿爆破开挖区周边轮廓线布置光面爆破孔;(3)在爆破开挖区周边轮廓线之内预留光面层靠主体爆破开挖区的一侧布置孔内聚能爆破孔;(4)将带有V形槽的孔内聚能爆破药柱进行孔内聚能爆破孔装药,并在药柱中布设低段雷管;(5)对微差爆破孔进行爆破装药,并布设微差爆破雷管;(6)对光面爆破孔进行爆破装药,并布设雷管;(7)对爆破孔进行堵塞;(8)连接起爆网路,实施爆破;(9)出渣;(10)重复上述步骤直至开挖完毕。本发明在最大限度地减小对保留岩体损伤破裂的同时改善保留岩体壁面成形质量。
搜索关键词: 孔内聚能 爆破 光面 联合 控制
【主权项】:
孔内聚能爆破与光面爆破联合控制爆破法,包括以下步骤:(1)根据微差爆破设计要求对爆破开挖区划定周边轮廓线,并在主体爆破开挖区(7)内布置微差爆破孔;(2)沿所述爆破开挖区周边轮廓线布置光面爆破孔(10);(3)在所述爆破开挖区周边轮廓线之内预留光面层(8)靠所述主体爆破开挖区(7)的一侧布置孔内聚能爆破孔(5);所述预留光面层(8)的厚度为:所述爆破开挖区周边将要形成的保留岩体壁面(9)与所述孔内聚能爆破孔(5)轴线构成的平面之间的距离,也就是与将形成的贯穿裂缝平面(6)之间的距离,亦即光面爆破的最小抵抗线;(4)浇铸或压制沿轴线方向在直径两端分别带有V形槽(2)的药柱(1),或沿轴线方向在直径两端分别挖出带有V形槽(2)的药柱(1),并在所述药柱(1)中布设低段雷管;然后将所述药柱(1)置于所述孔内聚能爆破孔(5)中,使所述药柱(1)的V形槽(2)处在将形成的所述贯穿裂缝平面(6)内;所述药柱(1)装药为岩石炸药;所述孔内聚能爆破孔(5)按装药不耦合系数为1.5~2.5、线装药密度为100~330g/m进行爆破装药;(5)根据微差爆破设计要求对所述主体爆破开挖区(7)内的微差爆破孔进行爆破装药,并比所述孔内聚能爆破孔(5)高二段开始隔段布设微差爆破雷管;(6)根据岩体的类型对所述光面爆破孔(10)按不耦合系数1.5~2.5进行爆破装药,并比所述主体爆破开挖区(7)最高段高二段布设雷管;其中所述岩体属于软岩时线装药密度为70~120g/m,所述岩体属于中硬岩时线装药密度为120~300g/m,所述岩体属于硬岩时线装药密度为300g/m~350g/m;(7)对所述主体爆破开挖区(7)内的微差爆破孔、所述孔内聚能爆破孔(5)和所述光面爆破孔(10)进行堵塞;(8)连接起爆网路,实施一次起爆,进行微差爆破,即所述孔内聚能爆破孔(5)中布设的低段雷管最先爆破,接着所述主体爆破开挖区(7)内的微差爆破孔隔段起爆,最后所述光面爆破孔(10)起爆;(9)出渣;(10)重复上述步骤(1)~(9),直至开挖完毕。
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