[发明专利]一种铁磁/反铁磁双层膜钉扎场方向的调制方法无效
| 申请号： | 201110400671.3 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102496449A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;苏桦;张怀武;荆玉兰;钟智勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F41/00 | 分类号： | H01F41/00;H01F41/14;H01F10/10 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种铁磁/反铁磁双层膜钉扎场方向的调制方法，属于磁性材料与元器件领域。首先外磁场H1作用下沉积铁磁/反铁磁双层膜(钉扎场的方向与外磁场H1方向一致，定义为钉扎场初始方向)；然后在所得铁磁/反铁磁双层膜中以钉扎场初始方向为起点，沿角度θ方向施加大于钉扎场Hex与铁磁层矫顽力之和的外磁场H2，同时沿外磁场H2方向施加一电流密度大于105A/cm2的脉冲电流，即可产生沿角度θ方向的新钉扎场。本发明利用自旋转矩效应调制铁磁/反铁磁双层膜钉扎场方向，大大简化了制备步骤，降低了对专用设备的依赖；另外，在钉扎场方向设定完成后，可通过重新设置外磁场H2的方向在电流脉冲作用下重新调制该双层膜的钉扎场方向，增加了应用的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反铁磁 双层 膜钉扎场 方向 调制 方法 | ||
【主权项】：
一种铁磁/反铁磁双层膜钉扎场方向的调制方法，包括以下步骤：步骤1：采用薄膜沉积工艺并在外磁场H1作用下，制备铁磁/反铁磁双层膜；所述外磁场H1为单一方向、大小恒定的磁场，其方向沿膜面、大小在50Oe～300Oe之间；步骤1制备完成的铁磁/反铁磁双层膜，其钉扎场Hex的方向与外磁场H1方向一致，并且定义该方向为钉扎场Hex的初始方向；步骤2：在步骤1所得的铁磁/反铁磁双层膜中以钉扎场Hex的初始方向为起点，沿角度θ方向施加外磁场H2，所述外磁场H2的大小应大于钉扎场Hex与铁磁层矫顽力之和，同时在该双层膜膜面沿外磁场H2方向施加一脉冲电流，所述脉冲电流的电流密度应大于105A/cm2，作用完成后，即可产生沿角度θ方向的新钉扎场。
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