[发明专利]一种细化AZ31镁合金晶粒的方法无效

专利信息
申请号: 201110398894.0 申请日: 2011-12-05
公开(公告)号: CN102492881A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 郝海;张爱民;房灿峰;张兴国;贾非 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C22C23/00 分类号: C22C23/00;C22C1/06;C22C1/02;B22D27/20
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 侯明远
地址: 116024*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种细化AZ31镁合金晶粒的方法,属于镁合金铸造技术领域。其特征是,首先在RJ-2镁合金熔剂的保护下将AZ31镁合金熔化,升温到780℃时加入由AlN和镁粉组成的细化剂,细化剂的加入量为AZ31镁合金熔体质量分数的0.2%-1%。保温20分钟后搅拌使细化剂在熔体中分散均匀,采用氩气精炼后静止10分钟,700℃-720℃时浇注到金属模具。本发明的效果和益处是与其他添加AlN的方法相比,操作工艺简单,生产成本低,制备的细化剂对AZ31镁合金的细化效果好,并且使其强度和韧性得到了显著提高。
搜索关键词: 一种 细化 az31 镁合金 晶粒 方法
【主权项】:
一种细化AZ31镁合金晶粒的方法,其特征是将AlN陶瓷微粒与Mg粉按质量比为1∶2均匀混合后压成块,烘干制成细化剂;AlN陶瓷微粒尺寸为3‑5微米,压块力为10‑15MPa,烘干温度为300℃;用熔剂保护熔化AZ31镁合金,升温到780℃后加入质量百分数为0.2%‑1%的细化剂,保持20分钟;然后先用手动搅拌,再采用机械搅拌使其中的AlN颗粒均匀分布;吹氩气精炼,静止10分钟,待温度降到700℃‑720℃时浇注。
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