[发明专利]一种细化AZ31镁合金晶粒的方法无效
申请号: | 201110398894.0 | 申请日: | 2011-12-05 |
公开(公告)号: | CN102492881A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 郝海;张爱民;房灿峰;张兴国;贾非 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C22C23/00 | 分类号: | C22C23/00;C22C1/06;C22C1/02;B22D27/20 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 侯明远 |
地址: | 116024*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种细化AZ31镁合金晶粒的方法,属于镁合金铸造技术领域。其特征是,首先在RJ-2镁合金熔剂的保护下将AZ31镁合金熔化,升温到780℃时加入由AlN和镁粉组成的细化剂,细化剂的加入量为AZ31镁合金熔体质量分数的0.2%-1%。保温20分钟后搅拌使细化剂在熔体中分散均匀,采用氩气精炼后静止10分钟,700℃-720℃时浇注到金属模具。本发明的效果和益处是与其他添加AlN的方法相比,操作工艺简单,生产成本低,制备的细化剂对AZ31镁合金的细化效果好,并且使其强度和韧性得到了显著提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 细化 az31 镁合金 晶粒 方法 | ||
【主权项】:
一种细化AZ31镁合金晶粒的方法,其特征是将AlN陶瓷微粒与Mg粉按质量比为1∶2均匀混合后压成块,烘干制成细化剂;AlN陶瓷微粒尺寸为3‑5微米,压块力为10‑15MPa,烘干温度为300℃;用熔剂保护熔化AZ31镁合金,升温到780℃后加入质量百分数为0.2%‑1%的细化剂,保持20分钟;然后先用手动搅拌,再采用机械搅拌使其中的AlN颗粒均匀分布;吹氩气精炼,静止10分钟,待温度降到700℃‑720℃时浇注。
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