[发明专利]磁性材料层的形成方法及形成装置有效
申请号: | 201110397656.8 | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN103137858A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 三重野文健 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L43/12 | 分类号: | H01L43/12;C23C16/08 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种磁性材料层的形成方法,包括:提供基底,所述基底包括用于形成磁性材料层的开口;采用还原金属氯化物的化学气相沉积工艺,形成覆盖所述基底的开口底部和部分侧壁的金属层,所述金属层包括第一金属材料层和位于所述第一金属材料层表面的第二金属材料层;对所述第一金属材料层和第二金属材料层进行退火处理工艺,形成磁性材料层。采用本发明实施例的形成方法后续形成的磁性材料层的质量好,磁隧道结的性能稳定,可靠性高。相应的,本发明实施例还提供了一种磁性材料层的形成装置,为上述方法提供了条件。 | ||
搜索关键词: | 磁性材料 形成 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种磁性材料层的形成方法,包括:提供基底,所述基底包括用于形成磁性材料层的开口;其特征在于,还包括:采用还原金属氯化物的化学气相沉积工艺,形成覆盖所述基底的开口底部和部分侧壁的金属层,所述金属层包括第一金属材料层和位于所述第一金属材料层表面的第二金属材料层;对所述第一金属材料层、第二金属材料层进行退火处理,形成磁性材料层。
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