[发明专利]半导体存储单元、制造方法及其存储单元阵列

摘要

本发明提供了一种半导体存储单元、制造方法及存储阵列，其基于FinFET结构利用形成的十字型栅极、封闭的条状有源区，且栅极通过电荷存储复合层与有源区形成接触巧妙的构造了一种半导体存储单元，其制造方法能与现有工艺相适应，可实现大规模的工业生产，并将该半导体存储单元中，以栅极轴对称的存储位置并联形成存储阵列，实现了每个半导体存储单元的2-bit存储，进而不需要为源漏极另设焊盘，缩小了存储单元的体积。

主权项

一种半导体存储单元，其特征在于，包括设置在半导体基底上的STI层，以及设置在所述STI层一个栅极区，所述栅极区由垂直交叉的两条条状栅极构成；四个源/漏极区，所述每个源/漏极区与其临近的两个源/漏极区分别以所述两条栅极为对称轴呈轴对称分布；四条条状半导体鳍状物，所述四条条状半导体鳍状物依次连接四个源/漏极区，形成封闭的条状有源区，所述封闭的条状有源区将所述STI层分隔为封闭条状有源区内的STI层部分和封闭条状有源区外的STI层部分，且所述每条条状栅极分别自交叉点向所述封闭的条状有源区外延伸，并通过电荷存储复合层与所述有源区形成接触。