[发明专利]多栅极场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110397366.3 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103137671A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;张海洋;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种多栅极场效应晶体管及其制造方法，所述多栅极场效应晶体管的鳍状结构包括硅层和硅锗层，所述硅锗层位于所述硅层的上表面和侧壁上，由于硅锗层位于硅层的上表面和侧面，多面均包裹所述硅层，故能够对硅层产生较佳的应力作用，提高了鳍状结构中沟道区的迁移率，进一步提高了多栅场效应晶体管的性能。同时，针对上述多栅极场效应晶体管的结构，本发明所揭示的制作方法利用第一硅锗薄膜在硅层上选择性沉积的特性，以及第二硅锗薄膜能够选择性外延生长的特性，形成了硅锗层位于硅层的上表面和侧面，多个面均包裹所述硅层的结构，简化工艺步骤并减少杂质引入，进一步提高多栅极场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多栅极场效应晶体管，包括：鳍状结构，位于一基材上，所述鳍状结构具有中间区域；栅极介电层，跨于所述鳍状结构的中间区域的上表面和侧壁上；栅极电极，位于所述栅极介电层上；其特征在于，所述鳍状结构包括硅层和硅锗层，所述硅锗层位于所述硅层的上表面和侧壁上。
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