[发明专利]纳米工艺下非对称MOS结构及其设计方法无效
| 申请号： | 201110395462.4 | 申请日： | 2011-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103137670A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 宋雯;蒋乐乐;刘丹青;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了纳米工艺下非对称MOS结构及其设计方法。其中该结构包括：对于NMOS，栅到源端STI的距离小于栅到漏端STI的距离；对于PMOS，栅到漏端STI的距离小于栅到源端STI的距离。其中该方法包括：对于NMOS，将器件的栅到源端STI的距离缩小而将其栅到漏端STI的距离增大，这样可以在不增加器件面积的情况下提高器件性能；对于PMOS，将器件的栅到漏端STI的距离缩小而保持栅到源端STI的距离不变，这样可以在减小器件面积的情况下提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 工艺 对称 mos 结构 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米工艺下非对称MOS结构，其特征在于，器件的栅到源端STI的距离和栅到漏端STI的距离不同。
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