[发明专利]单晶硅电池片中分离P-N结及太阳能电池制作方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅电池片中分离P-N结的方法，及太阳能电池制作方法。本发明采用将单晶硅电池片置于酸液上方，然后将酸液吸附到单晶硅电池片的背表面进行腐蚀，以去掉单晶硅电池片背表面的N+层的方法来分离单晶硅电池片中的P-N结。采用该方案可以避免在光照情况下，在背面产生影响电池开压的电动势；而且，采用该方法处理后的背表面与铝背场之间的接触变得更为均匀和平整，钝化效果较好，有利于对长波的响应，可以提高电池效率；再者，由于采用该方案不会造成硅片碎片；进一步的，由于所采用的酸液本身就已经有去除磷硅玻璃的作用，所以可以不需要另外执行去磷硅玻璃的步骤，简化了工序，有利于进一步提高生产效率。

主权项

一种单晶硅电池片中分离P‑N结的方法，其特征在于，包括：将单晶硅电池片置于酸液上方；将酸液吸附到单晶硅电池片的背表面进行腐蚀，以去掉单晶硅电池片背表面的N+层。