[发明专利]外延晶片无效
| 申请号： | 201110393534.1 | 申请日： | 2008-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102437265A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 中西文毅;三浦祥纪 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及外延晶片。假定r(m)表示GaN衬底(10)的半径，t1(m)表示GaN衬底的厚度，h1(m)表示在形成外延晶片(20)之前的GaN衬底(10)的翘曲，t2(m)表示AlxGa(1-x)N层(21)的厚度，h2(m)表示外延晶片的翘曲，a1表示GaN的晶格常数并且a2表示AlN的晶格常数，由下面的表达式1得到的值t1确定为GaN衬底(10)的最小厚度：(1.5×1011×t13+1.2×1011×t23)×{1/(1.5×1011×t1)+1/(1.2×1011×t2)}/{15.96×x×(1-a2/a1)}×(t1+t2)+(t1×t2)/{5.32×x×(1-a2/a1)}-(r2+h2)/2h＝0。形成厚度为至少该最小厚度(t1)且小于400μm的GaN衬底(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 | ||
【主权项】：
一种外延晶片(20，30)，该外延晶片(20，30)包括GaN衬底(10，31)，形成在所述GaN衬底(10，31)的c面上的AlxGa(1‑x)N层(21，34)和形成在所述AlxGa(1‑x)N层(21，34)上的GaN层(22，35)，其中：所述GaN衬底(10，31)的厚度小于250μm，以及所述外延晶片(20，30)的翘曲不大于100μm。
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