[发明专利]一种悬浮结构MEMS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110392138.7 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103130177A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 欧毅;王文武;陈大鹏;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种悬浮结构MEMS器件的牺牲层刻蚀方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成牺牲层；形成穿透所述牺牲层的隔离槽，围绕要形成悬浮结构MEMS器件的区域；形成阻挡层覆盖隔离槽的侧壁；去除要形成悬浮结构MEMS器件的区域中的牺牲层。相应的，本发明还提供一种悬浮结构MEMS器件。本发明提供的方法能有效抑制使用腐蚀的方法制造半导体悬浮结构时产生的侧向钻蚀效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 悬浮 结构 mems 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种悬浮结构MEMS器件的制作方法，包括：a)提供半导体衬底(100)，在所述半导体衬底(100)上形成牺牲层(200)；b)形成穿透所述牺牲层的隔离槽，围绕要形成悬浮结构MEMS器件的区域；c)形成阻挡层(400)覆盖隔离槽的侧壁；d)去除要形成悬浮结构MEMS器件的区域中的牺牲层(200)。
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