[发明专利]均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法无效
| 申请号： | 201110389200.7 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102437039A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 魏峥颖 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吴世华;张龙哺 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法，该方法根据硅片表面图形线宽和所需氮化硅薄膜的厚度要求，分次沉积氮化硅形成氮化硅薄膜，包括如下步骤：1)在硅片表面的栅极结构上方及其两侧沉积氮化硅形成氮化硅薄膜；2)以惰性气体离子或氧离子轰击该氮化硅薄膜，以均匀化该氮化硅薄膜；重复步骤1)和步骤2)，直到氮化硅薄膜厚度达到所需的要求，刻蚀形成侧墙。本发明的方法可以打开小线宽要求的制程中形成的氮化硅封口，继续沉积氮化硅时易于达成侧墙厚度的均匀性；该方法在打开氮化硅封口的同时，不会除去该封口底部的氮化硅，从而不会影响氮化硅的沉积效果。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 沉积 氮化 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法，该方法根据硅片表面图形线宽和所需氮化硅薄膜的厚度要求，分次沉积氮化硅形成氮化硅薄膜，包括如下步骤：1)在硅片表面的栅极结构上方及其两侧沉积氮化硅形成氮化硅薄膜；2)以惰性气体离子或氧离子轰击该氮化硅薄膜，以均匀化该氮化硅薄膜；3)重复步骤1)和步骤2)，直到氮化硅薄膜厚度达到所需的要求，刻蚀形成侧墙。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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