[发明专利]一种硼-镓共掺准单晶硅及其制备方法无效
| 申请号： | 201110388683.9 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102400219A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 黄新明;钟根香;明亮 | 申请（专利权）人： | 东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 222300 江苏省连*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硼-镓共掺准单晶硅，含有浓度为1×1014/cm3～5×1016/cm3的硼和/或磷以及浓度为1×1014～1×1018/cm3的镓。该准单晶硅可用于制造高效率的薄片太阳能电池；同时由于硼-镓共掺的作用，降低或避免了硼氧复合体的产生，从而降低了电池的光致衰减。本发明还公开了其制备方法，该制备方法简便，易操作，成本低，可规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镓共掺准 单晶硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硼‑镓共掺准单晶硅，其特征是：其含有浓度为1×1014个/cm3～5×1016个/cm3的硼和/或磷以及浓度为1×1014～1×1018个/cm3的镓。
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