[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。形成横向扩散金属氧化物半导体晶体管形成区域中的栅电极、元件隔离膜和漏极区域以及静电放电保护元件形成区域中的栅电极、元件隔离膜和阳极区域，以满足A1≥A2并且B1＜B2的关系，其中，横向扩散金属氧化物半导体晶体管形成区域的栅电极和元件隔离膜的重叠长度为A1，栅电极和漏极区域之间的距离为B1，并且静电放电保护元件形成区域的栅电极和元件隔离膜的重叠长度为A2，栅电极和阳极区域之间的距离为B2。

主权项

一种半导体器件，包括：横向扩散金属氧化物半导体晶体管；以及静电放电保护元件，其中，所述横向扩散金属氧化物半导体晶体管包括：第一栅电极，其形成在半导体基底上，绝缘膜介于所述半导体基底和所述第一栅电极之间；第一主体区域，其通过将第一导电类型的杂质注入到所述半导体基底中而形成，并且布置在所述第一栅电极的一个边缘侧；第二导电类型的第一源极区域，其布置在所述第一主体区域的上部中；第一元件隔离膜，其形成在所述半导体基底的上部中，并且被布置成与所述第一栅电极重叠；第一漏极区域，其形成在所述半导体基底内部，包括所述第二导电类型的杂质，并且被布置在与所述第一元件隔离膜的边缘部分接触并与所述第一栅电极分开的位置；以及第一漂移区域，其形成在所述半导体基底内部，包括所述第二导电类型的杂质，并且与所述第一主体区域和所述第一漏极区域接触，并且所述静电放电保护元件包括：第二栅电极，其形成在所述半导体基底上，绝缘膜介于所述半导体基底和所述第二栅电极之间；第二主体区域，其形成在所述半导体基底内部，包括所述第一导电类型的杂质，并且被布置在所述第二栅电极的一个边缘侧；所述第二导电类型的第二源极区域，其布置在所述主体区域的上部中；第二元件隔离膜，其形成在所述半导体基底的上部中，并且被布置成与所述第二栅电极重叠；阳极区域，其形成在所述半导体基底内部，包括所述第一导电类型的杂质，并且被布置在与所述第二元件隔离膜的边缘部分接触并与所述第二栅电极分开的位置；第三元件隔离膜，其形成在所述半导体基底的上部中，并且被布置为邻近所述阳极区域；第二漏极区域，其形成在所述半导体基底内部，包括所述第二导电类型的杂质，并且与所述第三元件隔离膜接触；以及第二漂移区域，其形成在所述半导体基底内部，包括所述第二导电类型的杂质，并且与所述第二主体区域、所述阳极区域和所述第二漏极区域接触，其中所述半导体器件具有A1≥A2并且B1＜B2的关系，其中，A1表示所述第一栅电极和所述第一元件隔离膜的重叠长度；A2表示所述第二栅电极和所述第二元件隔离膜的重叠长度；B1表示所述第一栅电极和所述第一漏极区域之间的距离；并且B2表示所述第二栅电极与所述阳极区域之间的距离。