[发明专利]一种石墨烯/氮化硼异质薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种石墨烯/氮化硼异质薄膜的制备方法，更具体地，涉及一种具有高电子迁移率的石墨烯/氮化硼异质薄膜的制备方法，属于电子薄膜材料领域。本发明所公开的制备方法包括：在氮化硼薄膜表面形成催化金属层；然后将固态、液态或气态碳源与催化金属接触，高温处理下碳原子均匀渗透至催化金属层中；降温后部分碳原子从催化金属层中析出，并在催化金属层与氮化硼界面形成石墨烯；最后用刻蚀液将催化金属层完全刻蚀，得到石墨烯/氮化硼异质薄膜。本发明的方法可以制备出大面积的石墨烯/氮化硼异质薄膜，并且异质薄膜表面平整、褶皱少，具有很高的迁移率，可直接用于制备高频电子器件。

主权项

一种石墨烯/氮化硼异质薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在氮化硼薄膜表面形成催化金属层；（2）所述催化金属层与碳源接触，高温处理下，碳原子渗透至催化金属层中；（3）降温后，在所述催化金属层与氮化硼的界面形成石墨烯；（4）完全刻蚀所述催化金属层，得到石墨烯/氮化硼异质薄膜。